MMBFJ177, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание MMBFJ177
Корпус TO236
| Структура | p-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 30 |
| Ток утечки (Idss), мА | 1.5…20 |
| при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 0.8…2.5 |
| при Id, нА | 10 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 300(max) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.225 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Особенности
Вес брутто
0.05 г
Код товара
220011
Корпус
SOT23-3
Краткое описание
JFET P-CH 30V 225MW SOT23, 0.225W Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Нормоупаковка
3000 шт
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/f9/6d/24/f2/eb43d4480053cf6ce2664411.pdf