MMBF4393LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание MMBF4393LT1G
The MMBF4393LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications.
• 30VDC Drain-source voltage
• 30VDC Drain-gate voltage
• 30VDC Gate-source voltage
• 50mA Forward gate current
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 3.04мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Емкость исток-затвор | 14 pF @ -15 V |
| Запирающий ток сток-исток Idss | 5 → 30mA |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Емкость сток-затвор | 14 pF @ 0 V |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 1.4мм |
| Высота | 1.01 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 100 Ω |
| Максимальное напряжение сток-затвор | 30V |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 3.04 x 1.4 x 1.01мм |
| Конфигурация | Одинарный |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | +30 В |
| Вес, г | 0.05 |
Особенности
Вес брутто
0.03 г
Код товара
108027
Корпус
SOT-23
Краткое описание
JFET N-CH 30V 225mW SOT23 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Мощность Макс
225 мВт
Напряжение отсечки (при токе)
500 мВ
Напряжение Сток-Исток Макс
30 В
Нормоупаковка
3000 шт
Проводимость (N/P)
N-канальный
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/bb/f6/e0/91/c84372c86151b3a58fefcbfa.pdf