J112, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание J112
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 35 |
| Ток утечки (Idss), мА | 5(min) |
| при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 1…5 |
| при Id, нА | 1000 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 50(max) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.625 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | to-92 |
| Вес, г | 0.3 |
Особенности
Вес брутто
0.2 г
Код товара
205700
Корпус
TO92-3
Краткое описание
JFET N-CH 35V 625mW TO92 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт
Мощность Макс
625 мВт
Напряжение отсечки (при токе)
1 В
Напряжение Сток-Исток Макс
35 В
Нормоупаковка
1000 шт
Проводимость (N/P)
N-канальный
Тип упаковки
Bulk (россыпь)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/e1/88/d6/21/eec5980a69db69e28a99309a.pdf