Дискретные полупроводники :: Транзисторы :: Полевые транзисторы :: Силовые MOSFET модули

FF11MR12W1M1PB11BPSA1, модуль силовой sic mosfet, полумостовой n-канальный 1200в 100а

Цена: по запросу

FF23MR12W1M1PB11BPSA1, модуль силовой sic mosfet n-канальный 1.2kв 50a

В наличии

13 608.49 ₽

FF2MR12KM1PHOSA1, модуль силовой sic mosfet сдвоенный n-канальный 1200в лоток

В наличии

99 868.24 ₽

FF45MR12W1M1B11BOMA1, модуль силовой mosfet 2 n-канальный 1200в 50a

Цена: по запросу

FM600TU-07A, модуль силовой mosfet трехфазный

Цена: по запросу

FM600TU-2A, модуль силовой mosfet трехфазный

Цена: по запросу

FMM150-0075X2F, транзистор полевой mosfet n-канальный 75в 120a 5-pin(5+tab) isoplus i4-pak

Цена: по запросу

FQB34P10TM, транзистор полевой mosfet p-канальный 100в 33.5a d2pak

Цена: по запросу

FQD4P25TM-WS, транзистор полевой mosfet p-канальный 250в 3.1a dpak

Цена: по запросу

FQD5N60CTM, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 2.8a dpak

Цена: по запросу

FQP13N10, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 12.8a to-220

Цена: по запросу

Описание FQP13N10 FQP13N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения...

FQP13N10L, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 12.8a to-220

Цена: по запросу

FQP2N60C, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 2a to-220

Цена: по запросу

Описание FQP2N60C FQP2N60C является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 600В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в...

FQP6N40C, транзистор полевой mosfet n-канальный 400в 6a to-220

Цена: по запросу

FQP9N50C, mosfet n-ch 500v 9a to-220

Цена: по запросу

FQPF6N80C, транзистор полевой mosfet n-канальный 800в 5.5a to-220f

Цена: по запросу