FDB12N50TM, транзистор полевой mosfet n-канальный 500в 11.5a d2pak

КОД: FDB12N50TM

Цена: по запросу

Нет в наличии

Задать вопрос

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	11.5 A
Тип корпуса	D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности	165 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	9.65мм
Высота	4.83мм
Размеры	10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.67мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	25 ns
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	45 ns
Серия	UniFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Максимальное сопротивление сток-исток	650 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток	500 V
Число контактов	3
Типичный заряд затвора при Vgs	22 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	985 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-30 V, +30 V
Вес, г	2.5

Возможно, вас это заинтересует