IRF8313PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 30 в, 2w
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF8313PBF
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0155 ом при 9.7a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 23 |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 |
| Вес, г | 0.15 |
Особенности
Вес брутто
0.2 г
Код товара
154333
Корпус
SO-8
Краткое описание
30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 2W
Максимальная рассеиваемая мощность
2 Вт
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Маскимальный ток стока
9.7 А
Нормоупаковка
95 шт
Особенности
Логическое управление
Остаток под заказ
0 шт
Тип транзистора
2N-канальный
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/bc/47/5c/92/d27551d8b814d3fd2fd21d68.pdf