IRF7351PBF, сборка из полевых транзисторов, 60 в, n-канальный, 2 вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF7351PBF
Характеристики
| Структура | 2n-канала |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 17.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Корпус | so8 |
| Особенности | полевая сборка |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
Особенности
Вес брутто
0.15 г
Код товара
152427
Корпус
SO-8
Краткое описание
MOSFET 60V Dual N-Channel HEXFET, 2W Сборка из полевых транзисторов, 60 В, N-канальный, 2 Вт
Максимальная рассеиваемая мощность
2 Вт
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Маскимальный ток стока
8 А
Нормоупаковка
95 шт
Особенности
Логическое управление
Остаток под заказ
0 шт
Тип транзистора
2N-канальный
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/14/13/59/5c/eb0154c99f18ed87bd946c04.pdf