IRF7316TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 4.9 а, 2вт

IRF7316TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 4.9 а, 2вт, изображение 2

КОД: IRF7316TRPBF

42.67 ₽

В наличии

Купить в один клик

Задать вопрос

Описание

Описание IRF7316TRPBF

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	4.9 A
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	2 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	4мм
Высота	1.5мм
Размеры	5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	2
Длина	5мм
Transistor Configuration	Изолированный
Типичное время задержки включения	13 ns
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	34 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Максимальное сопротивление сток-исток	98 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток	30 V
Число контактов	8
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	23 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	710 pF @ 25 V
Тип канала	A, P, WRU
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.15

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные