IRF7301TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 5.2 а

КОД: IRF7301TRPBF

Цена: по запросу

Нет в наличии

Задать вопрос

Описание

Описание IRF7301TRPBF

The IRF7301TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	5,2 А
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	2 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	4мм
Высота	1.5мм
Размеры	5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	2
Длина	5мм
Transistor Configuration	Изолированный
Типичное время задержки включения	9 нс
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	32 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage	0.7V
Максимальное сопротивление сток-исток	70 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	20 V
Число контактов	8
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	20 нКл при 4,5 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	660 pF @ 15 V
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-12 V, +12 V
Вес, г	0.15

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные