IRF5852TRPBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 2.2 а, 0.09 ом
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRF5852TRPBF
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.09 ом при 2.7a, 4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.96 |
| Крутизна характеристики, S | 5.2 |
| Корпус | tsop6 |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.6…1.25 |
| Вес, г | 0.1 |
Особенности
Вес брутто
0.06 г
Код товара
132104
Корпус
TSOP-6
Краткое описание
MOSFET Dual N-канал 20В/2,2А/0,09Ом_0,12Ом Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 2.2 А, 0.09 Ом
Максимальная рассеиваемая мощность
960 мВт
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Маркировка
NRND
Маскимальный ток стока
2.7 А
Нормоупаковка
3000 шт
Особенности
Логическое управление
Тип транзистора
2N-канальный
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/14/50/2e/ef/baf95758fa386bff31113f7b.pdf