FDS8958B, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в

КОД: FDS8958B

Цена: по запросу

Нет в наличии

Задать вопрос

Описание

Описание FDS8958B

The FDS8958B is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. The device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. It is suitable for use with DC-to-DC converter, BLU and motor drive inverter applications.

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	4,5 А, 6,4 А
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	1,6 Вт, 2 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	3.9мм
Высота	1.575мм
Размеры	4.9 x 3.9 x 1.575мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	2
Длина	4.9мм
Transistor Configuration	Изолированный
Типичное время задержки включения	4.3 ns, 6 ns
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	12 нс, 17 нс
Серия	PowerTrench
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Максимальное сопротивление сток-исток	39 мОм, 80 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	30 V
Число контактов	8
Типичный заряд затвора при Vgs	14 нКл при 10 В, 8,3 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	405 пФ при 15 В, 570 пФ при -15 В
Тип канала	N, P
Максимальное напряжение затвор-исток	-25 V, -20 V, +20 V, +25 V
Вес, г	0.15

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные