RD07MVS1-T51, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 3а 50вт 520мгц tch=150°c
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание RD07MVS1-T51
Характеристики
| Структура | n-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | - |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Корпус | slp |
| Особенности | 175/520мгц 7вт |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.4 |
Особенности
Вес брутто
0.14 г
Код товара
316048
Корпус
QFN12
Краткое описание
Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 7 W, 7.2 V Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C
Маркировка
Obsolete
Нормоупаковка
1000 шт
Остаток под заказ
0 шт
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/61/15/45/6f/c702d3792240b8dc241bfda6.pdf