Радиочастотные (RF FET) транзисторы

Главная/Дискретные полупроводники/Транзисторы/Полевые транзисторы/Радиочастотные (RF FET) транзисторы

ATF-541M4-TR1, полевой транзистор, радиочастотный, 2 гц, 3 в, 60 ма

Цена: по запросу

ATF-55143-BLKG, полевой транзистор, радиочастотный, 2 гц, 2.7 в, 10 ма

Цена: по запросу

ATF-55143-TR1G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 2 гц

Цена: по запросу

ATF-551M4-BLK, полевой транзистор, радиочастотный, 2 гц, 2.7 в, 10 ма

Цена: по запросу

ATF-551M4-TR1, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный

Цена: по запросу

ATF-58143-BLKG, полевой транзистор, радиочастотный, 2 гц, 3 в, 30 ма

Цена: по запросу

ATF-58143-TR1G, полевой транзистор, радиочастотный, 2 гц, 3 в, 30 ма

Цена: по запросу

BF2040E6814HTSA1, полевой транзистор n-канальный радиочастотный двухзатворный 8в 40ма 200мвт 1ггц tch=150°c

Цена: по запросу

BF245C, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 30 в, 0.3 вт

Цена: по запросу

BF256B, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 30 в, 0.35вт

Цена: по запросу

BF510,215, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 20v, 10мa, 0,25вт

Цена: по запросу

Описание BF510,215 N-channel JFET, NXP Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 3мм Transistor Configuration Одинарный Запирающий ток сток-исток Idss 0.7 → 3.0mA Производитель NXP Тип корпуса SOT-23 (TO-236AB) Тип монтажа Поверхностный монтаж...