Дискретные полупроводники :: Транзисторы :: Полевые транзисторы

PD57006-E, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 65в 1а 20вт 945мгц tj=165°c

Цена: по запросу

PD57018-E, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 65в 2,5а 31,7вт 945мгц tj=165°c

Цена: по запросу

PD57018S-E, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 65в 2,5а 31,7вт 945мгц tj=165°c

Цена: по запросу

PD57030-E, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 65в 4а 52,8вт 945мгц tj=165°c

Цена: по запросу

PD57030S-E, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 65в 4а 52,8вт 945мгц tj=165°c

Цена: по запросу

PD57045-E, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 65в 5а 73вт 945мгц tj=165°c

Цена: по запросу

PD57060-E, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 65в 7а 79вт 945мгц tj=165°c

Цена: по запросу

PD84001, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 18в 1,5а 6вт 870мгц tj=150°c

Цена: по запросу

PD84008L-E, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 25в 7а 26,7вт 870мгц tj=150°c

Цена: по запросу

PD85004, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 40в 2а 6вт 870мгц tj=150°c

Цена: по запросу

PD85015-E, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 40в 5а 59вт 870мгц tj=165°c

Цена: по запросу

PD85025-E, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 40в 7а 79вт 870мгц tj=165°c

Цена: по запросу

PD85035-E, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 40в 8а 95вт 870мгц tj=165°c

Цена: по запросу

PF5102, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 625 мвт

Цена: по запросу

PMBF170,215, транзистор полевой n-канальный 60в 300ма, 0.83вт

В наличии

4.74 ₽

PMBF4391,215, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 250 мвт

Цена: по запросу

PMBF4393,215, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 250 мвт

Цена: по запросу

PMBFJ109,215, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 250 мвт

Цена: по запросу

PMBFJ110,215, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 250 мвт

Цена: по запросу

PMBFJ176,215, транзистор управляемый p-n переходом

Цена: по запросу

PMBFJ177,215, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 300 мвт

Цена: по запросу

PMBFJ308,215, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 250 мвт

Цена: по запросу

PMBFJ309,215, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 25 в, 250 мвт

Цена: по запросу

Описание PMBFJ309,215 N-channel JFET, NXP Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 25 Ток утечки (Idss), мА 12…30 при Vds, В (Vgs=0) 10 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…4 при Id, нА 1000 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 50(typ) Максимальная...

PMBFJ310,215, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 25 в, 250 мвт

Цена: по запросу

PMV32UP,215, транзистор полевой p-канальный 20в 4а 0.93вт

В наличии

6.05 ₽

PMV45EN2R, транзистор полевой n-канальный 30в 5.1a

В наличии

16.31 ₽

PMV48XP,215, транзистор полевой p-канальный 20в 3.5а 0.93вт

В наличии

21.47 ₽

PMV65XP,215, транзистор полевой p-канальный 20в 2.8a

В наличии

7.52 ₽

PSMN006-20K, транзистор полевой n-канальный 20в 32a

В наличии

92.06 ₽

RA08H1317M, транзистор радиочастотный (rf fet)

Цена: по запросу

RD00HHS1-101, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 200ма 3,1вт 30мгц tch=150°c

Цена: по запросу

RD01MUS1, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 600ма 3,6вт 520мгц tch=150°c

Цена: по запросу

Описание RD01MUS1 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -...

RD01MUS2-T113, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 40в 600ма 12,5вт 520мгц tch=150°c

В наличии

39.68 ₽

RD01MUS2-T513, транзистор радиочастотный (rf fet)

Цена: по запросу

RD06HHF1-101, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 50в 3а 27,8вт 30мгц tch=150°c

Цена: по запросу

RD06HHF1-501, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 50в 3а 27,8вт 30мгц tch=150°c

В наличии

446.56 ₽

RD06HVF1-501, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 50в 3а 27,8вт 175мгц tch=150°c

В наличии

394.62 ₽

RD07MVS1-T51, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 3а 50вт 520мгц tch=150°c

В наличии

299.30 ₽

Описание RD07MVS1-T51 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -...

RD07MVS1B, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 3а 50вт 520мгц tch=150°c

Цена: по запросу

RD100HHF1-101, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 50в 25а 176,5вт 30мгц tch=175°c

Цена: по запросу

RD12MVS1-501, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 50в 4а 50вт 175мгц tch=150°c

Цена: по запросу

RD15HVF1-101, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 4а 48вт 175мгц tch=150°c

В наличии

474.05 ₽

Описание RD15HVF1-101 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -...

RD15HVF1-501, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 30в 4а 48вт 175мгц tch=150°c

Цена: по запросу

RD16HHF1-501, полевой транзистор n-канальный радиочастотный 50в 5а 56,8вт 30мгц tch=150°c

В наличии

509.98 ₽

Описание RD16HHF1-501 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -...