Полевые транзисторы

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание AUIRFS8408-7P COOLiRFET™ Power MOSFET, Infineon Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency,...
Цена: по запросу
Описание AUIRFZ44N Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes...
Цена: по запросу
Описание AUIRFZ44Z Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes...
Цена: по запросу
Описание AUIRFZ48Z Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 61 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 ом при...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание AUIRL1404ZS Структура n-канал Корпус d2pak Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 180 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id,...
Цена: по запросу
Описание AUIRL3705ZS Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes...
Цена: по запросу
Описание AUIRLR014N Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BF510,215 N-channel JFET, NXP Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 3мм Transistor Configuration Одинарный Запирающий ток сток-исток Idss 0.7 → 3.0mA Производитель NXP Тип корпуса SOT-23 (TO-236AB) Тип монтажа Поверхностный монтаж...
Цена: по запросу
Описание BF861C,215 N-channel JFET, NXP Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 3мм Transistor Configuration Одинарный Запирающий ток сток-исток Idss 12 → 25mA Производитель NXP Тип корпуса SOT-23 (TO-236AB) Тип монтажа Поверхностный монтаж...
Описание BF862,215 Корпус TO236 Структура n-канал Корпус sot23 Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.025 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BS108ZL1G Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.25 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 8 ом при...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 128 товаров