Полевые транзисторы

Описание IRFU024NPBF Корпус IPAK, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 75 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный...
Описание IRFU120NPBF The IRFU120NPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. • 175°C Operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Fully avalanche rated...
Описание IRFU9120PBF The IRFU9120PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The straight lead version is for through-hole mounting applications. Power dissipation...
Описание IRFU9310PBF Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 7 ом...
Цена: по запросу
Описание IRFZ14PBF The IRFZ14PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low...
Цена: по запросу
Описание IRFZ44ZPBF The IRFZ44ZPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and...
Описание IRFZ48NSTRLPBF MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage, Vds: 55V; Continuous Drain Current, Id: 64A; On Resistance, Rds(on): 14mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10V; Package/Case: D2-PAK Корпус TO263, Конфигурация и полярность N,...
Описание IRL1404PBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 160 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.004 ом...
Описание IRL2203NPBF MOSFET, N, 30V, 100A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 30V Current, Id Cont 100A Resistance, Rds On 0.007ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 1V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm...
Описание IRL3103PBF MOSFET, N, 30V, 56A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 30V Current, Id Cont 56A Resistance, Rds On 0.012ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 1V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse...
Описание IRL3705NSTRLPBF MOSFET, N-CH, 55V, 89A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 89A; Drai Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 89 А,...
Описание IRL540NSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара