Дискретные полупроводники :: Транзисторы :: Полевые транзисторы

IXFN60N80P, полевой транзистор, n-канальный, 800 в, 53 а, 1040 вт

Цена: по запросу

IXFR140N20P, транзистор полевой mosfet n-канальный 200в 90a isoplus 247

Цена: по запросу

IXFX240N25X3, транзистор полевой mosfet n-канальный 250в 240a 3-pin(3+tab) plus 247

Цена: по запросу

J105, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J106, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J109, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J112, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

Описание J112 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 35 Ток утечки (Idss), мА 5(min) при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…5 при Id, нА 1000 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 50(max)...

J112G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

J112_D26Z, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

J113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 625 мвт

Цена: по запросу

Описание J113 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 35 Ток утечки (Idss), мА 2(min) при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.5…3 при Id, нА 1000 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 100(max)...

J176_D74Z, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 350 мвт

Цена: по запросу

JMPL0648AK-13, транзистор полевой mosfet силовой 60в 23a 40мом p-канальный

17.58 ₽

JMTL2305B, транзистор mosfet одиночный

2.57 ₽

KF4N20LD-RTF/HS, транзистор полевой n-канальный 200в 3,6а 31вт

В наличии

17.01 ₽

L2N7002WT1G, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 0.115a sc-70-3

1.21 ₽

LBSS123LT1G, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 0.17a 225мвт sot-23

1.54 ₽

LBSS84LT1G, транзистор полевой mosfet p-канальный 50в 130ма 225мвт sot-23

1.35 ₽

LS3954A, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный

Цена: по запросу

LU1014D, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 24 в, 50 а

Цена: по запросу

MCH6662-TL-W, сборка mosfet транзисторов

Цена: по запросу

MCQ4828A-TP, сборка mosfet транзисторов

Цена: по запросу

MD200HFR120C2S, sic модуль, полумост, 1200в, 299а

Цена: по запросу

MDD1752, транзистор полевой n-канальный 40в 50а 8.0 mohm

В наличии

61.90 ₽

MDD1903RH, транзистор полевой n-канальный 100в 12.8а 36вт

В наличии

96.28 ₽

MDD3752RH, транзистор полевой p-канальный 40в 43а 50вт

В наличии

55.58 ₽

MDD7N25RH, транзистор полевой n-канальный 250в 6.2а 56вт

В наличии

29.58 ₽

MDHT3N40, транзистор полевой n-канальный 400в 1.5а 2вт

В наличии

13.43 ₽

MG300HF12TLC2, модуль igbt 1200в 300а

В наличии

6 393.15 ₽

MGF0918A-03, полевой транзистор, радиочастотный

461.79 ₽

MGF0920A-03, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MGF0921A-03, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MGF2415A-01, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MGF2445A-01, полевой транзистор, радиочастотный

2 964.03 ₽

MGFC36V5258-51, полевой транзистор, радиочастотный

7 675.24 ₽

MGFC47A4450-01, полевой транзистор, радиочастотный

Цена: по запросу

MMBF170, транзистор полевой n-канальный 60в 0.5a, 0.225вт

В наличии

2.34 ₽

MMBF4117, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF4118, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 40 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF4391, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF4391LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в

Цена: по запросу

MMBF4392, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF4392LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF4393, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF4393LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBF4393LT1G The MMBF4393LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications. • 30VDC Drain-source voltage • 30VDC Drain-gate voltage • 30VDC Gate-source voltage • 50mA Forward gate current Максимальная рабочая...

MMBF4393LT3G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF4416, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный

Цена: по запросу

MMBF5103, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF5457, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF5458, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF5458, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBF5461, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 40 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF5461, полевой транзистор с управляемым p-n переходом

Цена: по запросу

MMBF5462, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 40 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBF5484, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 10 ма, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ108, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ111, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ112, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ112 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Максимальная рабочая температура +150 °C Длина 2.92мм Transistor Configuration Одинарный Емкость исток-затвор 28пФ Запирающий ток сток-исток Idss min. 5mA Производитель ON Semiconductor Емкость...

MMBFJ113, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 35 в, 350 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ175, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ175LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ176, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ176 P-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 2…25 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 1…4 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 250(max)...

MMBFJ177, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ177 Корпус TO236 Структура p-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 30 Ток утечки (Idss), мА 1.5…20 при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.8…2.5 при Id, нА 10 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 300(max) Максимальная рассеиваемая...

MMBFJ177LT1G, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, p-канальный, 30 в, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ201, полевой транзистор с управляемым p-n переходом, n-канальный, 40 в, 350 мвт

Цена: по запросу

Описание MMBFJ201 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 40 Ток утечки (Idss), мА 0.2…1 при Vds, В (Vgs=0) 20 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.3…1.5 при Id, нА 10 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 0.35...

MMBFJ202, полевой транзистор с управляемым p-n переходом n-канальный 40в 350мвт

Цена: по запросу

MMBFJ270, полевой транзистор с pn-переходом, p-канальный, 30 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBFJ270_R1_00001, транзистор управляемый p-n переходом

Цена: по запросу

MMBFJ309LT1G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ310, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 10 ма, 0.35вт

Цена: по запросу

MMBFJ310LT1G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBFJ310LT3G, полевой транзистор, радиочастотный, n-канальный, 25 в

Цена: по запросу

MMBFU310LT1G, полевой транзистор с pn-переходом, n-канальный, 25 в, 225 мвт

Цена: по запросу

MMBT7002, транзистор mosfet одиночный

1.63 ₽

MMF60R360PTH, транзистор полевой n-канальный 600в 11а 31вт

В наличии

70.43 ₽

MRF300AN, транзистор полевой mosfet n-канальный радиочастотный 133в 3-pin(3+tab) to-247 туба

Цена: по запросу

MRF300BN, транзистор полевой mosfet n-канальный радиочастотный 133в 3-pin(3+tab) to-247 туба

Цена: по запросу

MRF6V12250HR5, транзистор радиочастотный (rf fet)

Цена: по запросу

MRF6V2010NR1, транзистор радиочастотный (rf fet)

Цена: по запросу

MRFE6S9060NR1, полевой транзистор rf n-канальный 14вт to270-2

Цена: по запросу

NDC7001C, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 60 в

Цена: по запросу

NDC7002N, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 50 в, 510 ма

Цена: по запросу

NDC7003P, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 340 ма

Цена: по запросу

NDS9948, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 2.3 а

Цена: по запросу

Описание NDS9948 Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 500...