Полевые транзисторы

Описание J113 N-channel JFET, Fairchild Semiconductor Структура n-канал Напряжение пробоя (V(br)gss), В 35 Ток утечки (Idss), мА 2(min) при Vds, В (Vgs=0) 15 Напряжение отсечки (Vgs off), В 0.5…3 при Id, нА 1000 Сопротивление канала (RDS(On)), Ом 100(max)...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 20 товаров