STB55NF06T4, транзистор полевой n-канальный 60в 50а 110вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание STB55NF06T4
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.018 ом при 27.5a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Крутизна характеристики, S | 18 |
| Корпус | d2pak |
| Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
2.11 г
Входная емкость
1300пФ
Заряд затвора
60нКл
Код товара
150091
Корпус
D2Pak (TO-263)
Краткое описание
N-channel 60 V, 0.015 Ohm, 50 A STripFET(TM) II Транзистор полевой N-канальный 60В 50А 110Вт
Мощность Макс
110Вт
Напряжение исток-сток макс
60В
Нормоупаковка
1000 шт
Остаток под заказ
200 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
18 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
50A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/f6/e6/3d/b7/342d43a6092d3985c4ad11c0.pdf