Одиночные MOSFET транзисторы

Цена: по запросу
Описание IRFI9530GPBF The IRFI9530GPBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound...
Цена: по запросу
Описание IRFI9630GPBF Вес, г 2
Цена: по запросу
Описание IRFI9634GPBF P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor Максимальная рабочая температура +150 °C Количество элементов на ИС 1 Transistor Configuration Одинарный Типичное время задержки включения 12 нс Производитель Vishay Типичное время задержки...
Описание IRFIB6N60APBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFL014NTRPBF Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 160 мОм Вес, г 0.39
Описание IRFL014TRPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.2 ом...
Показать еще 32 товара