Одиночные MOSFET транзисторы

Описание IRF8788TRPBF N-Ch 30V 24A 2.5W 0.0028R SO8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 24 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.8 мОм Максимальная рабочая температура...
Описание IRF9310TRPBF P CHANNEL, MOSFET, -30V, -20A, SOIC; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -20A Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление...
Описание IRF9321PBF Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство...
Описание IRF9335TRPBF Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRF9510PBF The IRF9510PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The...
Описание IRF9530NSPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Описание IRF9530NSTRLPBF Вес, г 2.5
Описание IRF9530PBF P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -12 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRF9Z34NSTRLPBF Вес, г 2.5
Описание IRFB20N50KPBF The IRFB20N50KPBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge. • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Simple drive requirements • Low RDS (ON)...
Описание IRFB23N15DPBF • Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design • Fully characterized avalanche voltage and current Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 23 А Тип корпуса TO-220AB Максимальное...
Описание IRFB31N20DPBF MOSFET, N, 200V, 31A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 31A Resistance, Rds On 0.082ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 5.5V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm...
Цена: по запросу
Описание IRFB41N15DPBF Вес, г 2.5
Описание IRFB4310ZPBF The IRFB4310ZPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power...
Показать еще 64 товара