Одиночные MOSFET транзисторы

Описание STD10NM60N MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений...
Описание STD2NK90ZT4 MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 900 В; Iс(25°C): 2.1 А; Rси(вкл): 5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 900 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений...
Описание STD5NK50ZT4 MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 4.4 А; Rси(вкл): 1.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета...
Описание STD60NF06T4 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Описание STF10NM60N N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом...
Описание STP10NK60Z • Очень высокий уровень характеристики dv/dt Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом...
Описание STP10NK60ZFP Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 750 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В...
Описание STP11NK50ZFP • Очень высокий уровень характеристики dv/dt • Лавинное тестирование 100% • Минимизированный заряд затвора • Очень низкая внутренняя емкость • -55 to 150°C Operating junction temperature range Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В...
Описание STP12NM50FP MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Uси: 550 В; Iс(25°C): 12 А; Rси(вкл): 0.3 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета...
Описание STP26NM60N N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом...
Описание STP4NK80Z MOSFET, N TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Current, Id Cont 3A Resistance, Rds On 3.5ohm Case Style TO-220 (SOT-78B) Alternate Case Style SOT-78B Current, Idm Pulse 12A N-channel Gate Charge 22.5nC No. of Pins 3 Power, Pd 80W Resistance, Rds on @ Vgs =...
Описание STP4NK80ZFP Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.5 ом при...
Описание STP55NF06 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Описание STP5NK100Z The STP5NK100Z is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. This new SuperMESH™ Power MOSFET is the result of further design improvements on ST's well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to significantly lower...
Описание STP5NK80ZFP Транзисторы семейства SuperMesh (серия NK) отличаются малым сопротивлением сток-исток в открытом состоянии, поэтому меньше нагреваются и могут использоваться с малогабаритными радиаторами. Также транзисторы SuperMesh отличаются наличием встречных защитных стабилитронов...
Описание STP60NF06 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Описание STP62NS04Z N-Channel STripFET™, STMicroelectronics Структура n-канал Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.015 ом при 30a, 10в Вес, г 2.5
Описание STP65NF06 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Описание STP6N62K3 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 620 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.2 ом при 2.8a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси...
Описание STP6NK60ZFP MOSFET, N, TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 600V Current, Id Cont 6A Resistance, Rds On 1.2ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 3.75V Case Style TO-220FP Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 24A...
Описание STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP является N-канальным силовым МОП-транзистором SuperMESH™, который обеспечивает защиту с диодом Зенера и минимизирует заряд затвора. SuperMESH ™ получается благодаря экстремальной оптимизации PowerMESH™. В дополнение к значительному снижению сопротивления в...
Описание STP75NF75 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Описание STP7NK80ZFP The STP7NK80ZFP is a 800V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to...
Описание STP9NK60Z MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 7 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 38 нКл Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений...
Описание STW26NM60N N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.165 ом при...
Описание STW4N150 N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом...
Показать еще 25 товаров