Одиночные MOSFET транзисторы

Цена: по запросу
Описание IRLZ34NSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание SPA11N60C3XKSA1 Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET Maximum Operating Temperature +150 °C Maximum Continuous Drain Current 11 A Package Type TO-220FP Maximum Power Dissipation 33 W Mounting Type Through Hole Width 4.85mm Height 9.83mm Dimensions...
Описание SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3 является N-канальным CoolMOS™ силовым МОП-транзистором 800В с низким уровнем сопротивления в активном состоянии. CoolMOS™ МОП-транзистор обеспечивает существенное снижение потерь проводимости, переключения и привода, а так же высокую плотность мощности...
Описание SPA20N60C3XKSA1 Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 190 мОм Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный...
Описание SPP11N60C3XKSA1 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 380...
Описание SPP17N80C3XKSA1 Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии...
Описание SPP20N60C3XKSA1 MOSFET, N, TO-220 TUBE 50; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 650V; Current, Id Cont: 20.7A; Resistance, Rds On: 0.19ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 3V; Case Style: TO-220; Termination Type: Through...
Описание SPP20N60S5XKSA1 Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 160 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток...
Описание SPW11N80C3FKSA1 Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии...
Описание SPW17N80C3FKSA1 MOSFET, N, COOLMOS, TO-247; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 800V; Current, Id Cont: 17A; Resistance, Rds On: 0.29ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 3V; Case Style: TO-247; Termination Type: Through...
Описание SPW20N60C3FKSA1 Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом...
Описание SPW47N60C3FKSA1 Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 47 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии...
Описание STB140NF75T4 N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 120 А Тип корпуса D2PAK...
Описание STB28NM50N Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 21 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.158 ом при 10.5a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси...
Описание STB55NF06T4 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Показать еще 128 товаров