Одиночные MOSFET транзисторы

Описание IRL3103PBF MOSFET, N, 30V, 56A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 30V Current, Id Cont 56A Resistance, Rds On 0.012ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 1V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse...
Описание IRL3705NSTRLPBF MOSFET, N-CH, 55V, 89A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 89A; Drai Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 89 А,...
Описание IRL540NSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Описание IRLIZ44NPBF Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 30 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Описание IRLL014NTRPBF Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 140 мОм Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный...
Описание IRLL024NTRPBF The IRLL024NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely...
Описание IRLL024ZTRPBF Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В...
Описание IRLML0040TRPBF Компания International Rectifier выпустила новую линейку HEXFET силовых полевых транзисторов в стандартных корпусах SOT-23 со сверхнизким сопротивлением канала в открытом состоянии для приложений, включающих устройств зарядки и коммутаторов аккумуляторных батарей,...
Описание IRLML2502TRPBF Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 45 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В...
Описание IRLR024NTRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 65 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Описание IRLR120NTRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 185 мОм Вес, г 0.4
Описание IRLR2705TRPBF N-CH 55V 28A 40mOhm TO252 Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 28 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм Максимальная рабочая температура +175...
Описание IRLR2905TRPBF The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides...
Описание IRLR2905ZTRPBF N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Описание IRLR2908TRPBF The IRLR2908TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power MOSFET is a 175°C junction operating temperature, fast switching...
Описание IRLR3103TRPBF N-LogL 30V 55A 107W 0.019R TO252AA Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 55 А, Сопротивление открытого канала (мин) 19 мОм Структура n-канал...
Описание IRLR3110ZTRPBF N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Описание IRLR3636TRPBF N-LogL 60V 50A 143W 0.0068R TO252AA Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 6.8 мОм Структура n-канал...
Описание IRLR6225TRPBF N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Описание IRLR7843TRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 161 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.3 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Описание IRLR8726TRPBF N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Описание IRLR8743TRPBF Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 160 A Тип корпуса DPAK (TO-252) Максимальное рассеяние мощности 135 W Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 6.22мм Высота 2.39мм Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм...
Описание IRLS3034PBF MOSFET транзисторы International Rectifier на напряжение 40-100 В разработаны по новейшей Trench технологии и предназначены для DC-DC преобразователей и систем управления приводом с высоким рабочим током. Низкий уровень сопротивления открытого канала помогает улучшить...
Описание IRLTS2242TRPBF Характеристики Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -6.9 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 55...
Показать еще 128 товаров