Одиночные MOSFET транзисторы

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFP22N50APBF N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 22 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом...
Описание IRFP22N60KPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 22 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.28 ом...
Описание IRFP240PBF IRFP240PBF является N-канальным силовым МОП-транзистором 200В третьего поколения, который обеспечивает разработчика сочетанием быстрого переключения, прочностью исполнения и низкого сопротивления в активном состоянии. • Динамический dV/dt • Повторяющиеся лавинные...
Цена: по запросу
Описание IRFP250PBF The IRFP250PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Easy to parallel •...
Описание IRFP260MPBF Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм...
Описание IRFP260PBF N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 49 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFP264PBF • Dynamic dV/dt rating • Ease of paralleling • Repetitive avalanche rated • Isolated central mounting hole • Simple drive requirements Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 38...
Описание IRFP27N60KPBF The IRFP27N60KPBF is a 600V N-channel SMPS MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency with hard switching application. Suitable for SMPS and high speed power switching and motor drive applications. • Enhanced...
Описание IRFP31N50LPBF The IRFP31N50LPBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with lower gate charge. • Superfast body diode eliminates the need for external diodes • Simple drive requirements • Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness • Higher gate voltage...
Описание IRFP32N50KPBF The IRFP32N50KPBF is a 500V N-channel SMPS MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency with hard switching application. Suitable for SMPS and high speed power switching and motor drive applications. • Enhanced...
Описание IRFP350PBF The IRFP350PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package provides greater creepage distances between pins to meet the requirements of most...
Описание IRFP360LCPBF • Reduced gate drive requirement • 30V VGS Enhanced rating • Reduced CISS, COSS, CRSS • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А...
Описание IRFP360PBF MOSFET, N, 400V, 23A, TO-247AC Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 400V Current, Id Cont 23A Resistance, Rds On 0.2ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-247AC Termination Type Through Hole Current, Idm...
Описание IRFP450APBF N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом...
Описание IRFP450PBF The IRFP450PBF is a 500V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Easy to parallel •...
Описание IRFP460APBF IRFP460APBF является силовым N-канальным МОП-транзистором HEXFET® 500В с низким зарядом затвора Qg для простых требований по управлению. Он работает на высокой частоте с устройствами жесткой коммутации. Подходит для импульсных источников питания и высокоскоростного...
Цена: по запросу
Описание IRFP460LCPBF IRFP460LCPBF является N-канальным силовым МОП-транзистором 500В третьего поколения, который обеспечивает разработчика сочетанием быстрого переключения, прочностью исполнения и низкого сопротивления в активном состоянии. Корпус предназначен для поверхностного монтажа...
Описание IRFP460PBF IRFP460PBF является N-канальным силовым МОП-транзистором 500В третьего поколения, который обеспечивает разработчика сочетанием быстрого переключения, прочностью исполнения и низкого сопротивления в активном состоянии. • Динамический dV/dt • Повторяющиеся лавинные...
Описание IRFP9240PBF • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Easy to parallel • Simple drive requirement • Isolated central mounting hole Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -12...
Описание IRFPC50PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFPE40PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFPE50PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7.8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Цена: по запросу
Описание IRFPF40PBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2.5 ом...
Описание IRFPF50PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFPG50PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1000 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.1 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFPS37N50APBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 36 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.13...
Описание IRFPS3810PBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 170 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.009...
Описание IRFPS43N50KPBF N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 47 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом...
Описание IRFR024NTRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 75 мОм Вес, г 0.4
Цена: по запросу
Описание IRFR024TRPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.1 ом...
Описание IRFR1018ETRPBF Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 79 A Тип корпуса DPAK (TO-252) Максимальное рассеяние мощности 110 Вт Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 6.22мм Высота 2.39мм Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм...
Описание IRFR1205TRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 44 А, Сопротивление открытого канала (мин) 27 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Цена: по запросу
Описание IRFR120PBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.27 ом...
Описание IRFR120ZPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.19 ом...
Показать еще 128 товаров