Одиночные MOSFET транзисторы

Цена: по запросу
Описание IRFHS8342TRPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.016...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFI620GPBF N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor Maximum Operating Temperature +150 °C Количество элементов на ИС 1 Transistor Configuration Одинарный Brand Vishay Maximum Continuous Drain Current 4 А Тип корпуса TO-220FP Maximum Power...
Описание IRFI640GPBF The IRFI640GPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound...
Описание IRFI840GPBF N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом...
Цена: по запросу
Описание IRFI9530GPBF The IRFI9530GPBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound...
Цена: по запросу
Описание IRFI9630GPBF Вес, г 2
Цена: по запросу
Описание IRFI9634GPBF P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor Максимальная рабочая температура +150 °C Количество элементов на ИС 1 Transistor Configuration Одинарный Типичное время задержки включения 12 нс Производитель Vishay Типичное время задержки...
Описание IRFIB6N60APBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFL014NTRPBF Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 160 мОм Вес, г 0.39
Описание IRFL014TRPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.2 ом...
Описание IRFL110TRPBF N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFL210TRPBF Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 960 мА Тип корпуса SOT-223 Максимальное рассеяние мощности 3,1 Вт Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 3.7мм Высота 1.8мм Размеры 6.7 x 3.7 x 1.8мм Материал...
Описание IRFL4310TRPBF The IRFL4310TRPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an...
Описание IRFL9014TRPBF The IRFL9014TRPBF is a -60V P-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is designed for surface-mounting using vapour phase,...
Описание IRFL9110TRPBF P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.1 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFP054PBF N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 70 A Тип корпуса TO-247AC Максимальное рассеяние мощности 230 Вт Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина...
Описание IRFP064PBF N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 70 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFP1405PBF N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark...
Показать еще 128 товаров