Одиночные MOSFET транзисторы

Описание STP4NK80Z MOSFET, N TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Current, Id Cont 3A Resistance, Rds On 3.5ohm Case Style TO-220 (SOT-78B) Alternate Case Style SOT-78B Current, Idm Pulse 12A N-channel Gate Charge 22.5nC No. of Pins 3 Power, Pd 80W Resistance, Rds on @ Vgs =...
Описание STP4NK80ZFP Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.5 ом при...
Описание STP55NF06 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Описание STP5NK100Z The STP5NK100Z is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. This new SuperMESH™ Power MOSFET is the result of further design improvements on ST's well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to significantly lower...
Описание STP5NK80ZFP Транзисторы семейства SuperMesh (серия NK) отличаются малым сопротивлением сток-исток в открытом состоянии, поэтому меньше нагреваются и могут использоваться с малогабаритными радиаторами. Также транзисторы SuperMesh отличаются наличием встречных защитных стабилитронов...
Описание STP60NF06 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Описание STP62NS04Z N-Channel STripFET™, STMicroelectronics Структура n-канал Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.015 ом при 30a, 10в Вес, г 2.5
Описание STP65NF06 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Описание STP6N62K3 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 620 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.2 ом при 2.8a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси...
Показать еще 16 товаров