Одиночные MOSFET транзисторы

Описание STP10NK60Z • Очень высокий уровень характеристики dv/dt Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом...
Описание STP10NK60ZFP Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 750 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В...
Описание STP11NK50ZFP • Очень высокий уровень характеристики dv/dt • Лавинное тестирование 100% • Минимизированный заряд затвора • Очень низкая внутренняя емкость • -55 to 150°C Operating junction temperature range Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В...
Описание STP12NM50FP MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Uси: 550 В; Iс(25°C): 12 А; Rси(вкл): 0.3 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета...
Описание STP26NM60N N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом...
Показать еще 16 товаров