Одиночные MOSFET транзисторы

Описание IRLR024NTRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 65 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Описание IRLR120NTRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 185 мОм Вес, г 0.4
Описание IRLR2705TRPBF N-CH 55V 28A 40mOhm TO252 Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 28 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм Максимальная рабочая температура +175...
Описание IRLR2905TRPBF The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides...
Описание IRLR2905ZTRPBF N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Описание IRLR2908TRPBF The IRLR2908TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power MOSFET is a 175°C junction operating temperature, fast switching...
Описание IRLR3103TRPBF N-LogL 30V 55A 107W 0.019R TO252AA Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 55 А, Сопротивление открытого канала (мин) 19 мОм Структура n-канал...
Показать еще 16 товаров