Одиночные MOSFET транзисторы

Описание IRFR3707ZTRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 56 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.5 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Описание IRFR3910TRPBF The IRFR3910TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design,...
Описание IRFR4615TRLPBF The IRFR4615TRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits. • Fully characterized...
Показать еще 16 товаров