Одиночные MOSFET транзисторы

Описание IRFL9110TRPBF P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.1 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFP054PBF N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 70 A Тип корпуса TO-247AC Максимальное рассеяние мощности 230 Вт Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина...
Описание IRFP064PBF N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 70 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFP1405PBF N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark...
Показать еще 16 товаров