Одиночные MOSFET транзисторы

Цена: по запросу
Описание IRFBC30PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFBC40APBF IRFBC40APBF является N-канальным силовым МОП-транзистором 600В с режимом обогащения и одной конфигурацией. Он подходит для импульсных источников питания, источников бесперебойного питания и устройств высокоскоростного переключения питания. • Низкий заряд затвора Qg...
Описание IRFD120PBF N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Цена: по запросу
Описание IRFD123PBF Корпус DIP4, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 270 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 80...
Показать еще 16 товаров