Москва

(₽)

+7(495)740-30-77

Одиночные MOSFET транзисторы

Главная/Дискретные полупроводники/Транзисторы/Полевые транзисторы/Одиночные MOSFET транзисторы

IRFB4410PBF, транзистор полевой n-канальный 100в 96а 250вт

В наличии

168.82 ₽

IRFB4410ZPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 97а 230вт

В наличии

60.22 ₽

IRFB4510PBF, транзистор полевой n-канальный 100в 62a

В наличии

46.74 ₽

IRFB4610PBF, транзистор полевой n-канальный 100в 73а 190вт

В наличии

137.03 ₽

IRFB4615PBF, транзистор полевой n-канальный 150в 35a

Цена: по запросу

IRFB4620PBF, транзистор полевой n-канальный 200в 25a

В наличии

129.84 ₽

IRFB4710PBF, транзистор полевой n-канальный 100в 75а 200вт

В наличии

133.83 ₽

IRFB52N15DPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 51а 320вт

В наличии

144.78 ₽

IRFB5615PBF, транзистор полевой n-канальный 150в 35а 144вт

В наличии

72.32 ₽

IRFB5620PBF, транзистор полевой n-канальный 200в 25а 144вт

В наличии

199.58 ₽

Описание IRFB5620PBF The IRFB5620PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D...

IRFB59N10DPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 59a

Цена: по запросу

IRFB61N15DPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 60а 330вт

В наличии

152.78 ₽

Описание IRFB61N15DPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 60 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.032...

IRFB7430PBF, транзистор полевой n-канальный 40в 195а 375вт

В наличии

140.73 ₽

Описание IRFB7430PBF StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon Infineon's StrongIRFET family is optimized for low R DS (on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor...