Одиночные MOSFET транзисторы

Описание IRF8788TRPBF N-Ch 30V 24A 2.5W 0.0028R SO8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 24 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.8 мОм Максимальная рабочая температура...
Описание IRF9310TRPBF P CHANNEL, MOSFET, -30V, -20A, SOIC; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -20A Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление...
Описание IRF9321PBF Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство...
Описание IRF9335TRPBF Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRF9510PBF The IRF9510PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The...
Описание IRF9530NSPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Показать еще 16 товаров