Одиночные MOSFET транзисторы

Описание IRFS4115TRLPBF N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...
Описание IRFS4229TRLPBF MOSFET, N-CH, 250V, 45A, TO-263-3 Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 250 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 45 А, Сопротивление открытого канала (мин) 48 мОм Вес, г 2.5
Описание IRFS7440TRLPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 120 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0025...
Описание IRFS7730TRL7PP Корпус TO2637, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 240 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 мОм Вес, г 3
Показать еще 20 товаров