Одиночные MOSFET транзисторы

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQP12P20 • 100% Avalanche tested • 31nC Typical gate charge • 30pF Typical low Crss Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 11.5 A Тип корпуса TO-220AB Максимальное рассеяние мощности 120 Вт Тип монтажа Монтаж на плату...
Цена: по запросу
Описание FQP13N50C N-Channel 500V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-220-3 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 13 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в...
Цена: по запросу
Описание FQP17N40 FQP17N40 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 400В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в...
Цена: по запросу
Описание FQP17P06 FQP17P06 является P-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® -60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQP19N20C QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQP27P06 Корпус TO-220-3 Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -27 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id,...
Цена: по запросу
Описание FQP30N06L The FQP30N06L is a QFET® N-channel enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQP33N10 FQP33N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQP44N10 FQP44N10 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQP50N06 FQP50N06 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQP55N10 QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQP6N80C The FQP6N80C is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQPF10N60C Корпус TO220FULLPAK3 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQPF3N80C The FQPF3N80C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQPF4N90C Корпус TO220FULLPAK3 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQPF8N80C The FQPF8N80C is a 800V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQT4N20LTF The FQT4N20LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQU11P06TU The FQU11P06 is a -60V P-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild's proprietary, planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior...
Цена: по запросу
Показать еще 128 товаров