Одиночные MOSFET транзисторы

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FDN302P The FDN302P is a -20V P-channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power...
Описание FDN306P MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -0.6V; Case Style: SuperSOT-3; Termination Type: SMD Корпус...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FDN337N FDN337N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23 от компании Fairchild. Этот транзистор производится с использованием запатентованной технологией DMOS высокой плотности элементов. Процесс с очень высокой плотностью...
Цена: по запросу
Описание FDN358P The FDN358P is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high...
Цена: по запросу
Описание FDN360P МОП-транзистор с P-каналом; напряжение сток-исток -30 В; ток стока -2 А, сопротивление открытого канала 0.08 Ом; напряжение исток-затвор 20 В; заряд затвора 6.2 нКл; мощность рассеивания 0.5 Вт; корпус SuperSOT-3 Корпус TO236 Максимальная рабочая температура +150 °C...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FDP047N10 N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 164 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FDP22N50N UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FDP3682 PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 6 A Тип корпуса TO-220AB Максимальное рассеяние мощности 95 Вт Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия...
Цена: по запросу
Описание FDP51N25 The FDP51N25 is an UniFET™ N-channel High Voltage MOSFET produced based on Fairchild Semiconductor's planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is...
Цена: по запросу
Описание FDP52N20 The FDP52N20 is an N-channel MOSFET produced from Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 128 товаров