Одиночные MOSFET транзисторы

Главная/Дискретные полупроводники/Транзисторы/Полевые транзисторы/Одиночные MOSFET транзисторы

FQP20N06, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 20a to-220

Цена: по запросу

FQP20N06L, транзистор полевой n-канальный 60в 21а 0.055 ом, 53вт

Цена: по запросу

FQP22N30, транзистор полевой n-канальный 300в 21а 170вт

Цена: по запросу

FQP27N25, транзистор полевой n-канальный 250в 25.5a

Цена: по запросу

FQP27P06, транзистор полевой p-канальный 60в 27а 120вт

Цена: по запросу

Описание FQP27P06 Корпус TO-220-3 Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -27 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id,...

FQP2N90, транзистор полевой n-канальный 900в 2.2a

Цена: по запросу

FQP30N06, транзистор полевой n-канальный 60в 30a 3-pin(3+tab) to-220ab туба

Цена: по запросу

FQP30N06L, транзистор полевой n-канальный 60в 32a 3-pin(3+tab) to-220ab лента

Цена: по запросу

Описание FQP30N06L The FQP30N06L is a QFET® N-channel enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high...

FQP32N20C, транзистор полевой n-канальный 200в 28a

Цена: по запросу

FQP33N10, транзистор полевой n-канальный 100в 33a

Цена: по запросу

Описание FQP33N10 FQP33N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения...