IRLR3110ZTRPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 42a
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRLR3110ZTRPBF
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 63 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.014 ом при 38a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
| Крутизна характеристики, S | 52 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |
Особенности
Вес брутто
0.62 г
Входная емкость
3980пФ
Заряд затвора
48нКл
Код товара
204694
Корпус
DPAK/TO-252AA
Краткое описание
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Транзистор полевой N-канальный 100В 42A
Мощность Макс
140Вт
Напряжение исток-сток макс
100В
Нормоупаковка
2000 шт
Особенности
Logic Level Gate
Остаток под заказ
0 шт
Пороговое напряжение включения макс
2.5В
Сопротивление открытого канала
14 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
42A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/f3/1a/e7/07/a637d283397a83e4c695e482.pdf