IRLR2908TRPBF, транзистор полевой n-канальный 80в 30a
Описание
Описание IRLR2908TRPBF
The IRLR2908TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power MOSFET is a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• Logic level
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 39 А |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
| Максимальное рассеяние мощности | 120 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 6.22мм |
| Высота | 2.39мм |
| Размеры | 6.73 x 6.22 x 2.39мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.73мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 12 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 30 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 80 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1890 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -16 V, +16 V |
| Вес, г | 0.4 |