IRLR2905TRPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 42a
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRLR2905TRPBF
The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.027 ом при 25a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Крутизна характеристики, S | 21 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |
Особенности
Вес брутто
0.65 г
Код товара
204690
Корпус
DPAK/TO-252AA
Краткое описание
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Транзистор полевой N-канальный 55В 42A
Нормоупаковка
2000 шт
Остаток под заказ
1 516 шт
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/e4/b3/24/c2/e6d1c3d8d70d10a132059fc4.pdf