IRLL024NTRPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 3.1а 2.1вт

IRLL024NTRPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 3.1а 2.1вт, изображение 2

КОД: IRLL024NTRPBF

39.90 ₽

В наличии

Купить в один клик

Задать вопрос

Описание

Описание IRLL024NTRPBF

The IRLL024NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Logic level

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	4.4 A
Тип корпуса	SOT-223
Максимальное рассеяние мощности	2.1 W
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	3.7мм
Высота	1.739мм
Размеры	6.7 x 3.7 x 1.739мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	6.7мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	7,4 нс
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	18 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Максимальное сопротивление сток-исток	100 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	55 В
Число контактов	3+Tab
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	10,4 нКл при 5 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	510 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-16 V, +16 V
Вес, г	0.39

Особенности

Возможно, вас это заинтересует

Самые популярные
Распродажа
Недавно просмотренные