IRFZ44ZPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 51а 80вт
Описание
Описание IRFZ44ZPBF
The IRFZ44ZPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of applications.
• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• 175°C Operating temperature
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0139 ом при 31a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
Крутизна характеристики, S | 15 |
Корпус | to220ab |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
Вес, г | 2.5 |