IRFU120NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 7.7а 42вт, 0.27 ом
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRFU120NPBF
The IRFU120NPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
• 175°C Operating temperature
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rated
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 9,4 А |
| Тип корпуса | IPAK (TO-251) |
| Максимальное рассеяние мощности | 48 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 2.3мм |
| Высота | 6.1мм |
| Размеры | 6.6 x 2.3 x 6.1мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.6мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 4.5 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 32 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 210 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 25 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 330 pF@ 25 V |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.45 |
Особенности
Вес брутто
1.02 г
Код товара
54948
Корпус
TO-251AA
Краткое описание
MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом
Нормоупаковка
75 шт
Остаток под заказ
0 шт
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/e2/16/99/28/378cf5ba1531d3e7df55518d.pdf