IRFR3910TRPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 16a 52вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRFR3910TRPBF
The IRFR3910TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.115 ом при 10a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
| Крутизна характеристики, S | 6.4 |
| Корпус | dpak |
| Вес, г | 0.4 |
Особенности
Вес брутто
0.89 г
Входная емкость
640пФ
Заряд затвора
44нКл
Код товара
204248
Корпус
DPAK/TO-252AA
Краткое описание
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK Транзистор полевой N-канальный 100В 16A 52Вт
Мощность Макс
79Вт
Напряжение исток-сток макс
100В
Нормоупаковка
2000 шт
Остаток под заказ
0 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
115 мОм
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Ток стока Макс
16A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/3a/9e/78/e7/77cc163ad2e9305e8c6358ce.pdf