IRFPG50PBF, транзистор полевой n-канальный 1000в 6.1а 190вт, 2.0 ом
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRFPG50PBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 ом при 3.6a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 |
| Крутизна характеристики, S | 5.4 |
| Корпус | to247ac |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 7.5 |
Особенности
Вес брутто
6.06 г
Входная емкость
2800пФ
Заряд затвора
190нКл
Код товара
66350
Корпус
TO-247AC
Краткое описание
MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Транзистор полевой N-канальный 1000В 6.1А 190Вт, 2.0 Ом
Мощность Макс
190Вт
Напряжение исток-сток макс
1000В
Нормоупаковка
25 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
2 Ом
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
6.1A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/84/00/b4/36/78b605021f29e86055c8bd0e.pdf