IRFPE50PBF, транзистор полевой n-канальный 800в 7.8а 190вт, 1.2 ом
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRFPE50PBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 ом при 4.7a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 |
| Крутизна характеристики, S | 5.6 |
| Корпус | to247ac |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 7.5 |
Особенности
Вес брутто
6.46 г
Входная емкость
3100пФ
Заряд затвора
200нКл
Код товара
67121
Корпус
TO-247AC
Краткое описание
MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Транзистор полевой N-канальный 800В 7.8А 190Вт, 1.2 Ом
Мощность Макс
190Вт
Напряжение исток-сток макс
800В
Нормоупаковка
25 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
1.2 Ом
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
7.8A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/8f/2d/49/77/56e6f058677eafc3d567dc57.pdf