IRFP250PBF, транзистор полевой n-канальный 200в 30а 190вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRFP250PBF
The IRFP250PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• Isolated central mounting hole
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.085 ом при 18a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 |
Крутизна характеристики, S | 12 |
Корпус | to247ac |
Пороговое напряжение на затворе | 4 |
Вес, г | 7.5 |
Особенности
Вес брутто
6.08 г
Входная емкость
2800пФ
Заряд затвора
140нКл
Код товара
204136
Корпус
TO-247AC
Краткое описание
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC Транзистор полевой N-канальный 200В 30А 190Вт
Мощность Макс
190Вт
Напряжение исток-сток макс
200В
Нормоупаковка
25 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
85 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
30A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/bf/69/83/bf/e9316b86be8a6fd06e8d8aff.pdf