IRFP1405PBF, транзистор полевой n-канальный 55в 95а 310вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRFP1405PBF
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Continuous Drain Current | 160 A |
| Package Type | TO-247 |
| Maximum Power Dissipation | 310 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Width | 19.71mm |
| Forward Transconductance | 77s |
| Height | 5.31mm |
| Dimensions | 15.29 x 19.71 x 5.31mm |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 15.29mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
| Brand | Infineon |
| Typical Turn-Off Delay Time | 140 ns |
| Series | HEXFET |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Pin Count | 3 |
| Category | Power MOSFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 5600 pF @ 25 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Вес, г | 7.5 |
Особенности
Вес брутто
7.44 г
Входная емкость
5600пФ
Заряд затвора
180нКл
Код товара
204124
Корпус
TO-247AC
Краткое описание
Field-effect transistor, N-channel, 55V 95A 310W Транзистор полевой N-канальный 55В 95А 310Вт
Мощность Макс
310Вт
Напряжение исток-сток макс
55В
Нормоупаковка
25 шт
Остаток под заказ
0 шт
Пороговое напряжение включения макс
4В
Сопротивление открытого канала
5.3 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
95A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/7f/3f/5d/ac/3741c7ddbb0c23a974d7b71e.pdf