IRFI640GPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 9.8а 40вт, 0.18 ом

IRFI640GPBF
Цена: по запросу
Нет в наличии

Описание

Описание IRFI640GPBF

The IRFI640GPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. The isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard product. The FULLPAK is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw fixing.

• Isolated package
• 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz) High voltage isolation
• 4.8mm Sink to lead creepage distance
• Dynamic dV/dt rating
• Low thermal resistance

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.4 ом при 3.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт35
Крутизна характеристики, S3.2
Корпусto220fp
Пороговое напряжение на затворе4
Вес, г2

Особенности

Вес брутто
2.87 г
Входная емкость
1300пФ
Заряд затвора
70нКл
Код товара
66321
Корпус
TO-220F
Краткое описание
MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Транзистор полевой N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом
Мощность Макс
40Вт
Напряжение исток-сток макс
200В
Нормоупаковка
50 шт
Пороговое напряжение включения макс
Сопротивление открытого канала
180 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Тип транзистора
N-канал
Тип упаковки
Tube (туба)
Ток стока Макс
9.8A
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/c0/e0/b1/ee/187b7cd80c086064b65ab4ab.pdf
Возможно, вас это заинтересует
  • Самые популярные
  • Распродажа
  • Недавно просмотренные